Demostración de Weebit Nano

Weebit Nano ha realizado una demostración de sus primeros arreglos de barras cruzadas operativos, un hito clave en el camino de la compañía para crear chips de memoria no volátil (NVM) discretos (independientes).

La arquitectura 1T1R (un transistor, una resistencia) utilizada en las matrices ReRAM integradas no es suficiente para admitir las grandes matrices de celdas de memoria necesarias en los chips de memoria discretos.

Por esta razón, las matrices de barras cruzadas de Weebit se desarrollaron utilizando una arquitectura 1S1R (un selector, una resistencia) que permite la alta densidad necesaria para chips discretos.

Esta arquitectura también permite que las matrices de Weebit se apilen en capas 3D para que puedan ofrecer densidades aún mayores.

La arquitectura ReRAM de barra cruzada 1S1R de Weebit tiene aplicaciones potenciales en memoria de clase de almacenamiento, memoria persistente y como reemplazo de flash NOR. También es ideal para arquitecturas de IA como la computación en memoria y la computación neuromórfica.